نوشین داداش زاده؛ الناز پوررضا
چکیده
در این مطالعه مقایسه ای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دی الکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی مشخص کردن پلاسما و بهینه سازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. شبیه سازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان داده شده است. دستگاه DBD با دو ...
بیشتر
در این مطالعه مقایسه ای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دی الکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی مشخص کردن پلاسما و بهینه سازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. شبیه سازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان داده شده است. دستگاه DBD با دو الکترود، پوشیده شده توسط ماده دی الکتریک و با ثابت دی الکتریک متغیربین 2، 5و 8 در نظر گرفته شد، و پارامترهای تخلیه بر حسب زمان شبیه سازی شدند. در سراسر شکاف پلاسما برای یافتن یک ثابت دی الکتریک بهینه برای رسوب حداکثر توان. با استفاده از یک ولتاژ سینوسی به دستگاه DBD با ثابت دی الکتریک مختلف، پروفایل های میدان الکتریکی، الکترون چگالی، دمای الکترون، کسر جرمی اتمهای آرگون، میانگین انرژی الکترون، چگالی جریان یون، چگالی جریان الکترون، پلاسما، جریان کل و رسوب توان نشان داده شدهاند.
الناز پوررضا؛ نوشین داداش زاده
چکیده
پلاسمای جفت شده القایی چکیده (ICP) به طور گسترده در کاربردهایی مانند پردازش مواد و ساخت ادوات میکروالکترونیک استفاده می شود. با این حال، خواص الکترومغناطیسی آنها به طور کامل بررسی نشده است. بنابراین، ما شبیه‌سازی‌های المان محدود (2 بعدی)، وابسته به زمان را در این پژوهش انجام دادیم. نمودارهای میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما را برای ...
بیشتر
پلاسمای جفت شده القایی چکیده (ICP) به طور گسترده در کاربردهایی مانند پردازش مواد و ساخت ادوات میکروالکترونیک استفاده می شود. با این حال، خواص الکترومغناطیسی آنها به طور کامل بررسی نشده است. بنابراین، ما شبیه‌سازی‌های المان محدود (2 بعدی)، وابسته به زمان را در این پژوهش انجام دادیم. نمودارهای میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما را برای گاز آرگون با اعمال توان متغیر 750 وات، 950 وات، 1100 وات و 1200وات انجام دادهایم. در یک مطالعه مقایسه ای، اثر تغییر توان ورودی بر پارامترهای پلاسما بررسی شد و نتایج مربوطه نشان داده شد. نشان داده شد که با افزایش توان، چگالی الکترون و دما در محفظه کار افزایش می یابد. در ادامه، با توان ثابت 1200 وات به عنوان یک توان بهینه شده، تأثیر جابجایی موقعیت سیم پیچها و کاهش ضخامت لایه دی الکتریک بر شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دما بررسی شد و نشان دادیم که با تغییر مکان سیم پیچها، شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دمای راکتور تغییری نمی کند.اما با کاهش ضخامت لایه دی الکتریک شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما به مقدار ناچیزی کاهش می یابد.